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[发明专利]物理气相沉积线圈的处理方法及物理气相沉积线圈结构-CN200910054945.0有效
发明人：聂佳相 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-07-16 - 公布日： 2011-01-26 - 主分类号： C23C14/02 文献下载
摘要：一种物理气相沉积线圈的处理方法及物理气相沉积线圈结构，其中物理气相沉积线圈的处理方法包括：提供物理气相沉积线圈；对所述物理气相沉积线圈进行清洗；在所述物理气相沉积线圈内表面形成与所述物理气相沉积线圈材料一致的薄膜本发明提高物理气相沉积系统的均一性和稳定性。
物理沉积线圈处理方法及物理气结构

[发明专利]成膜装置-CN200910142629.9有效
发明人：长谷部一秀;周保华 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2005-06-28 - 公布日： 2009-11-04 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及半导体处理用成膜装置，该装置具有：处理容器，支持被处理基板的支持部件，加热被处理基板的加热器，排放气体的排气系统，供给成膜用第一处理气体和与第一处理气体反应的第二处理气体以及与第一、第二处理气体均不同的第三处理气体的第一、第二、第三处理气体供给系统，激发第二处理气体的激发机构，控制成膜装置动作的控制部分，为通过CVD在被处理基板上形成薄膜，所述控制部分交叉实施如下工序：供给第一和第三处理气体，同时停止供给第二处理气体，通过激发机构，使第三处理气体以激发状态供给；停止供给第一、第二、第三处理气体；供给第二处理气体，同时停止供给第一和第三处理气体；停止供给第一、第二、第三处理气体。
装置

[发明专利]处理气体供给机构、供给方法及气体处理装置-CN200710154446.X有效
发明人：佐藤亮;齐藤均 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-09-12 - 公布日： 2008-04-09 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明涉及处理气体供给机构、供给方法及气体处理装置，该处理气体供给机构能够在短时间内供给使处理容器内变成设定压力的量的处理气体。处理气体供给机构(3)包括：用于向作为收容基板(G)的处理容器的腔室(2)内供给作为处理气体的氦气的He气体供给源(30)；用于暂时贮存来自He气体供给源(30)的氦气的处理气体罐(33)；和将来自He气体供给源(30)的氦气供给处理气体罐(33)并将处理气体罐(33)内的氦气供给腔室(2)内的处理气体流通部件(35)，氦气经由处理气体流通部件(35)被从He气体供给源(30)暂时贮存在处理气体罐(33)中，并从处理气体罐(33)供给到腔室(2)内。
处理气体供给机构方法装置

[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法、程序及气体供给系统-CN202080047667.0在审
发明人：永冨佳将;漆原美香;佐佐木隆史 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2020-07-01 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：基板处理装置包括：处理气体喷嘴，向处理室内供给处理气体；惰性气体喷嘴，以处理气体喷嘴为中心沿周向夹着的方式分别被设置2个以上，并将惰性气体供给到处理室内；处理气体供给部，向处理气体喷嘴供给处理气体；惰性气体供给部，向各个惰性气体喷嘴供给惰性气体；以及控制部，构成为能够分别控制从处理气体供给部向处理气体喷嘴供给的处理气体的流量和从惰性气体供给部向各个惰性气体喷嘴供给的各惰性气体的流量。
处理装置半导体制造方法程序气体供给系统

[发明专利]半导体处理用成膜方法和装置-CN200710001998.7无效
发明人：周保华;长谷部一秀 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-01-16 - 公布日： 2007-07-25 - 主分类号： H01L21/314 文献下载
摘要：在可选择地供给含有硅烷类气体的第一处理气体、含有氮化气体的第二处理气体和含有碳氢化合物气体的第三处理气体的处理区域内，通过CVD在被处理基板上形成绝缘膜。该成膜方法，重复实行：对处理区域供给第一处理气体，对处理区域供给第二处理气体，和对处理区域供给第三处理气体。第三处理气体的供给，包括将第三处理气体在由激发机构激发的状态下供给至处理区域的激发期间。
半导体处理用成膜方法装置

[发明专利]半导体器件的制造方法及衬底处理装置-CN201510501921.0在审
发明人：小川有人;竹林雄二 -专利权人：株式会社日立国际电气
申请日： 2015-08-14 - 公布日： 2016-03-23 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制造方法及衬底处理方法，其具有下述工序：通过将对衬底供给第一处理气体的工序、对所述衬底供给第二处理气体的工序和对所述衬底供给与由所述第一处理气体及所述第二处理气体反应生成的副产物进行反应的第三处理气体的工序进行规定次数，由此在所述衬底上形成膜，供给所述第一处理气体的工序、供给所述第二处理气体的工序及供给所述第三处理气体的工序在将所述衬底维持为室温以上且450℃以下的规定温度的状态下进行，供给所述第三处理气体的工序与供给所述第一处理气体的工序及供给所述第二处理气体的工序中的至少任一项工序同时进行
半导体器件制造方法衬底处理装置

[发明专利]半导体处理用的成膜方法和装置-CN200710147867.X有效
发明人：长谷部一秀;周保华;梅泽好太;门永健太郎;张皓翔 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-08-31 - 公布日： 2008-03-05 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体处理用的成膜方法，在能够有选择地供给含有硅烷系气体的第一处理气体、含有氮化气体或氧氮化气体的第二处理气体、含有含硼的气体的第三处理气体和含有碳氢化合物气体的第四处理气体的处理区域内，在第一工序中，供给第一处理气体、和第三与第四处理气体中之一的先行气体，另一方面，停止供给第二处理气体、和第三与第四处理气体中的另一种的后行气体。在第二工序中，供给后行气体，另一方面，停止供给第二处理气体和先行气体。在第三工序中，供给第二处理气体，另一方面，停止供给第一处理气体。
半导体处理方法装置

[发明专利]处理气体吸入构造及废气处理装置-CN202111436606.6在审
发明人：关根贵史;宫崎一知 -专利权人：株式会社荏原制作所
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： F04B37/14 文献下载
摘要：本发明提供一种能够防止因温度降低而导致从处理气体产生生成物的处理气体吸入构造及废气处理装置。处理气体吸入构造(100)具备：双层管构造体(101)；以及对双层管构造体(101)进行加热的加热装置(102)。双层管构造体(101)具备：供处理气体流动的处理气体流路部(105)；以及配置于处理气体流路部(105)的外侧的分隔部(106)。
处理气体吸入构造废气装置

[实用新型]理气仪-CN00226467.6无效
发明人： -专利权人：
申请日： 2000-05-31 - 公布日： 2003-09-17 - 主分类号： G01C17/00 文献下载
摘要：一种能够理化失适度物场的理气仪，它是在已有的罗盘数十层和地质罗盘仪中，水准器、磁针、正针、中针、缝针和周天宿度经纬间隔分层结构的十二位径线性和数理化名：标尺、山尺、水尺和比度尺顺序园纬五层，间径度分一百格
理气

[实用新型]一种钢带表面清理机构-CN201820230942.2有效
发明人：濮雨润;袁选利 -专利权人：永鑫精密材料（无锡）有限公司
申请日： 2018-02-08 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： B21C43/02 文献下载
摘要：本实用新型公开一种钢带表面清理机构，包括位于钢带移送辊前端的机架，所述机架上安装有多个上清理气嘴及多个下清理气嘴，所述上清理气嘴倾斜布置，所述下清理气嘴倾斜布置，所述上清理气嘴、下清理气嘴之间形成有供钢带穿过的空间，所述上清理气嘴通过气管与气源相连，所述下清理气嘴通过气管与气源相连。
清理气嘴钢带表面清理机构钢带倾斜布置气源气管粉尘本实用新型涂油机移送辊附着去除涂油穿过机组保证

[发明专利]等离子蚀刻装置-CN201410324224.8有效
发明人：荒见淳一;冈崎健志 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2014-07-09 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供等离子蚀刻装置，其具备：具有等离子处理室的壳体；被加工物保持构件，其配设在等离子处理室内，在上表面保持被加工物；处理气体喷射构件，其具有处理气体喷射部；处理气体供给构件，其向处理气体喷射构件提供处理气体；和减压等离子处理室的减压构件，该处理气体喷射部具有中央喷射部和外周喷射部，处理气体供给构件具备：处理气体供给源；缓冲箱，其与处理气体供给源连通，暂时收纳处理气体；将缓冲箱和中央喷射部连通的中央喷射部供给路径
等离子蚀刻装置

[发明专利]半导体处理用的成膜方法和装置-CN200710167674.0有效
发明人：长谷部一秀;石田义弘;藤田武彦;小川淳;中岛滋 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-09-06 - 公布日： 2008-03-12 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体处理用的成膜方法，在能够选择性供给第一处理气体、第二处理气体、第三处理气体的处理区域内，利用CVD法在被处理基板上形成氧化膜，其中第一处理气体包括含有膜源元素且不含氨气的源气体，第二处理气体包括氧化气体，第三处理气体包括预处理气体。第一工序包括将第三处理气体在利用激发机构激发的状态下供给的激发阶段，利用由此生成的所述预处理气体的自由基对所述被处理基板的表面进行预处理。第二工序是供给第一处理气体，由此，使膜源元素吸附到被处理基板的表面。第三工序包括将第二处理气体在利用激发机构激发的状态下供给的激发阶段，利用由此生成的所述氧化气体的自由基，使吸附在所述被处理基板的表面的膜源元素氧化。
半导体处理方法装置

[发明专利]基板处理装置及半导体器件的制造方法-CN201410066971.6有效
发明人：广地志有;丰田一行;盛满和广;佐藤武敏;山本哲夫 -专利权人：株式会社日立国际电气
申请日： 2014-02-26 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种基板处理装置，向处理容器交替地供给第1处理气体和等离子化的第2处理气体来处理基板，该基板处理装置具有供给上述第1处理气体的第1气体供给系统；供给上述第2处理气体的第2气体供给系统；配置在上述处理容器的上游且至少使上述第2处理气体等离子化的等离子体单元；和控制部，该控制部以交替地供给上述第1处理气体和上述第2处理气体的方式控制上述第1气体供给系统和上述第2气体供给系统，并且，以在开始供给上述第2处理气体之前执行上述第2处理气体的等离子化所需要的电力施加的方式控制上述等离子体单元。
处理装置半导体器件制造方法

[发明专利]半导体处理用成膜方法、成膜装置和存储介质-CN200610058179.1有效
发明人：长谷部一秀;冈田充弘;金採虎;李丙勋;周保华 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2006-03-10 - 公布日： 2006-09-13 - 主分类号： C23C16/513 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体处理用的成膜装置，其包含向处理区域内供给处理气体的处理气体供给系统。上述处理气体供给系统包括：将第一和第三处理气体混合、形成混合气体的气体混合罐；从气体混合罐向处理区域供给混合气体的混合气体供给管线；具有不经过气体混合罐而将第二处理气体供给到处理区域的第二处理气体供给管线的第二处理气体供给系统；分别设置在混合气体供给管线和第二处理气体供给管线上的第一和第二开关阀。控制部控制第一和第二开关阀，使得以脉冲状向处理区域交替供给混合气体和第二处理气体。
半导体处理用成膜方法装置存储介质

[发明专利]煤非活性化处理装置及利用该装置的改性煤制造设备-CN201380032598.6有效
发明人：金子毅;新屋谦治;中川庆一;大本节男;滨田务 -专利权人：三菱重工业株式会社
申请日： 2013-10-25 - 公布日： 2015-02-25 - 主分类号： C10L9/06 文献下载
摘要：本发明提供一种即便将使用后的处理气体进行循环并进行再利用也能够抑制该处理气体中的一氧化碳浓度的上升的煤非活性化处理装置。所述煤非活性化处理装置具备：装置主体(141)，其在内部使煤从一方朝向另一方流通；处理气体送给机构(142～144、144a、145、145a、146、146a、147、148)，其将处理气体向所述装置主体(141)的内部送给；处理气体循环机构(148)，其使在所述装置主体(141)中使用的使用后的处理气体(33)向所述处理气体送给机构循环；一氧化碳处理装置(170)，其以降低所述处理气体中的一氧化碳浓度的方式调整该处理气体中的一氧化碳浓度
活性处理装置利用改性制造设备

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